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低應(yīng)力PECVD氮化硅薄膜的制備

低應(yīng)力PECVD氮化硅薄膜的制備

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級(jí)別:| 積分:0 分 | 瀏覽:80319 | 大小:126.50KB | 下載:4445 次 | 上傳:2013-10-22

簡介:

研究了等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)工藝中射頻條件(功率和頻率)對(duì)氮化硅薄膜應(yīng)力的影響。對(duì)于不同射頻條件下薄膜的測(cè)試結(jié)果表明:低頻(LF)時(shí)氮化硅薄膜處于壓應(yīng)力,高頻(HF)時(shí)處于張應(yīng)力,且相同功率時(shí)低頻的沉積速率和應(yīng)力分別為高頻時(shí)的兩倍左右。

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